Университет XXI века: научное измерение 2016

«Университет XXI века: научное измерение» – 2016 192 чение групп кристалла и магнитного момента. Это приводит к понижению симметрии для поглощающего иона  2 Eu и расширению полос поглощения, а взаимодействие между электроном и дыркой записывается в виде линейной комбинации спиновых операторов e  ˆ и h  ˆ . Без учета молекулярного поля спин-гамильтониан можно записать через скалярное произведение h e  ˆˆ : h e A EH  ˆˆ ˆ 0   , (8) где 0 E – постоянная; A – постоянная, умноженная на скалярное произведение. В гетеросистеме EuO-SrO в нанослоях EuO сдвиг края поглощения проис- ходит из-за d-f -обменного взаимодействия между электроном магнитного экси- тона и 4 f -электронами ионов  2 Eu , кроме центрального  3 Eu . Образующийся экситон является возбуждением 4 f -электронов в виде     g t dF f S f 2 5 4 4 76 27 87  с центром в кулоновском поле иона   F 7 3 Eu  , которое действует на ближайшие соседние ионы. Для перехода электрона из 4 f -полосы шириной эВ 0,5~ на g t d 2 5 -уровни зоны проводимости нужно учесть действие кубического поля на пятикратно вырожденное по орбитали d состояние. Это приводит к расщепле- нию на трехкратно вырожденное состояние g t 2 и двукратно вырожденное со- стояние g l с дополнительным расщеплением в случае октаэдрической симмет- рии нижайшего триплета g t 2 [3]. Литература 1. Метфессель, Э. Магнитные полупроводники / Э. Метфессель, Д. Мат- тис.– М.: Мир, 1972. 2. Kasuya, T. A Theory of Impurity Conduction I / Т. Каsuya // Phys. Soc. Ja- pan.– 1958.– V. 13.– P. 1096–1110. 3. Golovnev, Y. F. Rules of selection for excitons in heterostructures on the ba- sis of ferromagnetic semiconductors / Y. F. Golovnev, A. B. Lakovtsev // Physics of Electronic Materials: 3rd International Conference Proceedings.– Kaluga, 2008.– V. 2.– P. 236–239.