ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ: ВЗГЛЯД В БУДУЩЕЕ. 2015

«Исследовательский потенциал молодых ученых: взгляд в будущее» 295 2015 Крутизна транзистора S при переходе из режима 0 = g U к режи‐ му 1 g g U U > равняется: L NBd e U I S g 3 0 µ = ∆ ∆ = , (2) где е – заряд электрона, µ – подвижность, N – число электронов в n ‐ канале, В – длина затвора, 0 d – ширина n ‐канала (суммарная толщина проводящих слоев EuO сверхрешетки SrO‐EuO) и L – ширина затвора. Из формулы (2) видно, что S тем больше, чем меньше ширина затвора n L чем выше подвижность электронов µ в n – канале ПТ. Максимальные скорости движения электронов под действием сильного поля Е, приложенного параллельно плоскости гетерограни‐ цы SrO‐EuO, при T<70 K составляют 3*10 7 см/с. С помощью современ‐ ной фотолитографии можно изготавливать ПТ с длиной и шириной затвора в десятые доли микрометра, подвижность электронов в кото‐ рых составляет 6 10 ≈ µ см 2 /в*с. Таким образом, максимальное значение крутизны в рассматриваемом полевом транзисторе может достигать 2 108 ⋅ ≈ мсм/мм. В таком транзисторе минимально возможное время установления τ определяется временем движения электронов от ис‐ тока до стока vL / ≈ τ . При соответствующих значениях L и v , указан‐ ных выше, это время составляет 5 ≈ τ пс. Значит такие ПТ обладают наибольшим быстродействием [3]. Литература 1. Звездин А. К., Мищенко А. С., Хвальковский А. В. // ЖЭТФ. 2003 73, вып.4. – С. 53–58. 2. Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. – М.: Мир, 1972. 3. Молекулярно‐лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: пер. с англ. / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. – М.: Мир, 1989.