ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ: ВЗГЛЯД В БУДУЩЕЕ. 2015

ХI Региональная научно-практическая конференция аспирантов, соискателей, молодых ученых и магистрантов 294 вых ям выполняют слои EuO. Они же инжектируют в n‐канал при зна‐ ке «плюс» на затворе электроны, концентрация которых, благодаря 4 f ‐уровням в запрещенной зоне, достигает 10 26 м 3 [2]. При температу‐ ре ниже точки Кюри ( 70 ≈ K) в этих слоях действует обменное взаимо‐ действие, которое ориентирует спины туннелирующих электронов через тонкие барьеры SrO ( o A 10 ≈ ) в одном направлении. В таком слу‐ чае все слои EuO в сверхрешетке будут намагничены обменным взаи‐ модействием сонаправленно и ток I увеличивается во много раз [1]. Рис.1. Конструкция полевого транзистора с n-каналом из сверхрешетки SrO-EuO. Толстая подложка изготовлена из SrO В ПТ изменение выходного тока I ∆ достигается изменением на‐ пряжения на затворе g U ∆ . Их отношение является крутизной g U I S ∆ ∆ = . (1) чем больше S, тем большим оказывается коэффициент усиления ПТ. В нашем случае вольтамперная характеристика ПТ выглядит следую‐ щим образом (рис. 2) Рис. 2. Вольтамперная характеристика ПТ