Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №4 2007

№ 4, 2007 ВЕСТНИК ТГПУ им. Л. Н. Толстого / („ + !) = 2 к, ( kt +ks ) ( kt - k s )e J(~kt+ks)x ( k(+ks)xj ( kt + ks ) i(k,-ks)xj для гетерограниц, 2k. 2kx + limy -2ik\Xj -2imye 2ik\Xj limye 2kx- limy для 4 / - уровней, (5) (для границы яма - барьер: s = 1, t = 2; барьер - яма - s = 2, t = 1). Для численных расчетов требуются элементы верхней строки S - матрицы, которые компактно можно записать так: 5., (О,„ +1)=(/,, (п +1)- Sn (пУ21 {п + 1))"1 SXJ(п)122{п + 1 Г + (1- j ) l X2 (п +1). (6) Реккурентные соотношения (6) при использовании промежуточных матриц сшивания (5) позволяют определить коэффициент проникновения Р(Е) для многослойной системы, при начальном условии S(0,0)= J , где J - единичная матрица: P(E)=\Sxx{0,n+l f . (7) Выбранная гетеросистема PbS-EuS имела следующие параметры: а — b = 3,44 нм, в которой барьер и яма содержат 10 атомных слоев. н Е, meV Рис. 3. Туннельная прозрачность сверхрешетки для различной ориентации спина электрона (Р1(Е) - параллельно, Р2(Е) - антипараллельно), без учета рассеяния на 4/:состояниях Результаты расчетов показывают,что электронный транспорт в системе PbS-EuS при энергиях порядка 1 эВ туннелирующих частиц будет достигать ~ 95%. С ростом энергии степень спиновой поляризации уменьшается и сходит практически на нет при энергии, сопоставимой с высотой барьера (рис. 4). Вклад нерезонансного туннелирования проявляется в том, что в области энергий, со­ ответствующих положению 4/-состояний в барьере, наблюдаются осцилляции туннель­ ной прозрачности (рис. 5).