Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №4 2007

ПУБЛИКАЦИЯ МОЛОДОГО УЧЕНОГО № 4, 2007 Косвенный обмен за счет этих электронов возрастет и установившийся ферромаг- ласть с обеих сторон (рис, 3), Далее выведем соотношения, связывающие плотность носителей п0 с модулирующим напряжением на затворе. Учтем, что электрическое поле постоянно в слое сульфида ев­ ропия и, используя построенную выше энергетическую зонную диаграмму, получим ности между энергией Ферми и поверхностной плотностью носителей при высокой кон- vs - скорость движения электронов в режиме насыщения. Зная величину тока в канале, можно определить одну из самых важных параметров в полевом транзисторе - крутизну g. В режиме насыщения крутизна будет наибольшей и ее можно найти из следующего выражения: Здесь Z - ширина затвора. И для рассматриваемого транзистора величина крутизны, таким образом, может дос- в полевом транзисторе на основе гетероструктур AlGaN-GaN gMaKC = 65-80 мСм/мм. В работе рассмотрены полевые транзисторы на основе гетероструктур PbS-EuS. Для описания характеристик рассматриваемых транзисторов разработана физическая модель их работы, на основе которой проведены численные расчеты. В соответствии с моделью Андерсона построена энергетическая диаграмма гетероперехода PbS-EuS. Путем исполь­ зования уравнения Пуассона получена зависимость изменения электростатического по­ тенциала на гетеропереходе от координаты z. Установлено, что плотность электронов на гетерогранице возрастает до 1021 см~3. Теоретически рассчитана крутизна транзистора. В режиме насыщения она может достигать ~8 - 102мСм/мм. При этом скорость движения электронов оказывается равной ~2 ■107см/с. где dEuS- ширина слоя EuS, Ad = а = 0,125Т0'16В-м2- коэффициент пропорциональ- £ 2 Z v ; S макс £uS +Дй0 тигать величины ~ 8Т02 мСм/мм. Для сравнения можно привести значение крутизны Заключение L. V. Nikolskaja, А. V. Paramonov, J. F. Golovnev PBS-EUS HETEROSTRUCTURES FOR FIELD TRANSISTORS The article presents field transistor on the basis of PbS-EuS ferromagnetic het­ erostructures and its main characteristics which have been studied theoretically. The au­ thors state that the density of electrons on the heterojunction grows up to 1 ()2; cm \ They also focus on high density and conductivity of the channel.