Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №2 2005

№ 2,2005 ВЕСТНИК ТГПУ им. Л. Н. Толстого cos(fclc?,)cos(*2rf2)-^ /+yjsin (/cl</l)sin(A:2J2) = cos(^ )) (11) где i _ +(E+Eg\ +Ai ~А 1 -г(^)) ]. к. 1 , к2 - волновые векторы в PbS и EuS со- *, \l(E+E gt) ' +{ е +Eg, +Д,) 'j ответственно. Уравнение (11) позволяет вычислить положение энергетических подзон в кванто­ вых ямах (в нашем случае - в слоях PbS) и их ширину. Численные расчеты были проведены для композиционной системы с толщиной слоев й?/<30А и d2< 30А, когда энергетические уровни в квантовой яме слоя PbS расширя­ ются в минизоны, что является следствием туннельного просачивания электронов через барьер (слой EuS) [6]. Результаты представлены на рисунке 4. Рис. 4. Вычисленные в двухзонной модели разрешенные энергетические зоны (заштрихованные области) в сверхрешетке PbS — EuS сравной толщиной слоев и периодами с/, вычисленные без учета спинового расщепления Видно, что с увеличением периода сверхрешетки, из-за невозможности туннелиро­ вания, ширина минизон в квантовых ямах уменьшается до образования дискретных уров­ ней энергии. Так, например, вторая минизона при значении периода d > 180 А вырожда­ ется в отдельный энергетический уровень. Рис. 5. Минизонная структура сверхрешетки при dpbs~3 нм, df.us= 1,5 нм для разных направлений спина туннелирующего электрона