Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №2 2005

№ 2, 2005 ВЕСТНИК ТГПУ им. Л. Н. Толстого Матричные элементы оператора S(t, t0) определяют вероятность переходов из од­ ного квантового состояния в другое. Вероятность квантового перехода их состояния \j/fl в состояние vpm, выражается формулой: д „ ( ' л ) = М ' л ) |! . (12) Подход, предложенный в рамках метода матрицы рассеяния, позволяет сделать следующий шаг на пути решения проблемы прохождения электронов через гетерограни­ цу в сверхрешетке [3]. Данный метод является более удобным для расчетов реальных трехмерных структур, чем широко используемый в простых моделях метод расчета, ба­ зирующийся на матрице переноса. Зависимость коэффициента прохождения Р(Е) электронов в системе GaAs - AlAs представлена на рисунке 4. Результаты расчета Р(Е) приводят к трехдолинной модели для описания резонансно-туннельных процессов в соответствующих структурах. Рис. 4. GaAs - A/As: а) Г-Г-рассеяние, б)Х~Х, Х-Г иГ-Х-рассеяние Метод матрицы рассеяния, применяемый в анализе взаимодействия электронной волны с гетерограницей в сверхрешетке, является сегодня наиболее перспективным. Од­ нако проблема построения общей модели, адекватной реальным сверхрешеткам и позво­ ляющей исследовать процессы просачивания электронов через гетерограницу в сверхре­ шетке, остается открытой. D. A. Nurguleev The analyses of relation of electronic wave with the heteroborder in the superlattice In the paper the analysis of passage of an electron through a heteroborder in the one-dimensional periodic field is carried out. The tendency of the development ofmeth­ ods of investigation of the interaction between an electronicwave and a heteroborder in a superlatticewhere the attention is paid to the advantages ofusing thematrix of dispersion is investigated. Литература 1. Блохинцев, Д. И. Основы квантовой механики / Д. И. Блохинцев,- М.: Наука, 1976.— С. 168-174. 2. Борухович, А. С. Спин-поляризованный транспорт как основа нового поколения структур микроэлектроники / А. С. Борухович, Н. А. Виглин, В. ВОсипов // Электронныйжурн. «Исследо­ вано в России»,- 2001- С. 432-446. 3. Гриняев, С. Н. Рассеяние электронов в многобарьерных структурах / С. Н. Гриняев, В. Н. Чернышов // ФТП- 1992,-Т. 26,-№ 12,- С. 2057-2067.