Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №2 2005

№ 2, 2005 ВЕСТНИК ТГПУ им. Л. Н. Толстого V =A +Ei!(lnAs) = 0,56 3Bl р L если z соответствует слою GaSb, (27) Vs= Д+Е6(GaSb) = 0,96 эВ] Vs=Vp= 0, если z соответствует слою InAs. Энергия перекрытия валентной зоны GaSb и зоны проводимости InAs Д равна 0,15 эВ. Если положить для простоты к2 = 0, то перемешивание 1 - 2 будет отсутствовать. Состояния сверхрешетки, происходящие от сшивки электронных состояний в InAs с состоя­ ниями легких дырок в GaSb, характеризуются следующим дисперсионным уравнением: cos(qd)= cos(kAdA)cos(kBdB)“ (x+ x~l)cos(kAdA)cos(kBdB), (28) где — И =A.k +E.(lnAs)l, — k2B= (A.-A)[x-A-E1I(GaSb)l и х = ^ - -----— г- 3 А 1 gV ' J 3 в V А kBX+Eg(lnAs) В заключение следует подчеркнуть, что достоинством формализма огибающей функции является простота и вместе с тем достаточная общность окончательных резуль­ татов, выражаемых уравнением (28). В рамках единого формализма описываются оба существующих типа композиционных сверхрешеток, и различие их зонных структур на­ ходит естественное объяснение. Приближение огибающей функции позволяет проанали­ зировать особенности поперечного движения (в плоскости слоев), которые чаще всего проявляются в экспериментах [4]. А. В. Lakovzev The calculation of minizoned structures of semi-conductor superiattice In the paper the analysis of traditional methods of calculation of minizoned struc­ tures is carried out. The mainc attention is given to Kronig - Penney model and to the method of bending function. Литература 1. Борухович, А. С. Спин-поляризованный транспорт как основа нового поколения структур микроэлектроники / А. С. Борухович, Н. А. Виглин, В. В Осипов // Электронный журн. «Исследо­ вано в России».- 2001,- С. 432^146. 2. Головнев, Ю. Ф. Построение зонных диаграмм гетероперехода PbS-EuS методом Андер­ сона / Ю. Ф. Головнев, Л. В. Никольская - Тезисы докладов IV Междунар. науч.-технической конф. «Современные проблемы математики, механики, информатики».- 2003 - С. 106 - 107. 3. Головнев, Ю. Ф. Решение системы волновых уравнений методом трансфертных матриц/ Ю. Ф. Головнев, Л. В. Никольская, А. В. Ермолов // Изв. ТГУ. Сер. «Математика, механика, ин­ форматика».- 2003 - Т. 8 - № 2 - С .47-52. 4. Херман, М. А. Полупроводниковые сверхрешетки / М. А. Херман,- М.: Мир, 1989. 5. Ярив, А. Введение в теорию и приложения квантовой механики / А. Ярив - М.: Мир, 1984.

RkJQdWJsaXNoZXIy ODQ5NTQ=