Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №2 2005

ФИЗИКА № 2, 2005 сульфиде европия, которые оказываются в его запрещенной зоне. Их учет приводит к тому, что источником поляризованных электронов может стать не ферромагнитный полупроводник, а пара­ магнетик. У. F. Golovnev, А. V. Paramonov The modelling of heterojunction and superlattice on the basis of halkogenids of samaria and europia In the paper the calculation of the power diagram of heterojuntion EuS-SmS is car­ ried out and the analysis of the power structure of a superlattice on their basis is given. It is established, that on the border of layers EuS and SmS samary passes in magnetic an ac­ tive phase 41*—>4f*+e and a layer of sulfide the samary becomes injector backs - polarized electrons. Литература 1. Борухович, А. С. Спин-поляризованный транспорт как основа нового поколения структур микроэлектроники / А. С. Борухович, Н. А. Виглин // Электронный журн. «Исследовано в Рос­ сии», 2001. 2. Борухович, А. С. Особенности квантового туннелирования в мультислоях и гетерострук­ турах, содержащих ферромагнитные полупроводники / А. С. Борухович // УФН.- Т. 169 - № 7 - 1999,-С. 746. 3. Головнев, Ю. Ф. Моделирование гетероперехода на основе моносульфидов самария и ев­ ропия / Ю. Ф. Головнев, А. В. Парамонов // Тез. докл. 4-й Междунар. конф. «Фундаментальные и прикладные проблемы физики».- Саранск: Изд-во МГПИ им. Евсевьева, 2003 - С. 56. 4. Головнев, ТО. Ф. Моделирование и расчет гетероперехода и сверхрешетки на основе мо­ носульфидов самария и европия / Ю. Ф. Головнев, А. В. Парамонов // Изв. ТГУ. Сер. «Физика». Тула: Изд-во ТГУ, 2004. - С. 41^18. 5. Головнев, Ю. Ф. Механизм образования сверхрешетки ферромагнетик-парамагнетик в ге­ тероструктуре SmS-EuS / Ю. Ф. Головнев, А. В. Парамонов // Материалы XIX Междунар. школы- семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники».-М.: Изд-воМГУ, 2004.- С. 424-426. 6. Головнев, Ю. Ф. Сверхрешетки на основе ферромагнитного и парамагнитного полупро­ водников для спинтроники / Ю. Ф. Головнев, А. В. Парамонов // Тез. докл. Всерос. конф. «Физика и технология микро- и наноструктур».—СПб., 2004. 7. Головнев, Ю. Ф. Расчет зонной структуры в приближении огибающей функции для сверхрешеток из магнитных полупроводников / Ю. Ф. Головнев, А. В. Парамонов // Изв. ТГУ. Сер. «Математика, Механика, Физика».- Т. 8. —Вып. 2: Механика- Тула: Изд-во ТГУ, 2002.- С. 77-81. 8. Херман, М. Полупроводниковые сверхрешетки / М. Херман. - М.: Мир, 1989. 9. Kane, Е. О. -J. Phys. Chem. Solids, 1957. V. 1. P. 249. 10. Harrison, W. A. -Phys. Rev., 1961. V. 123. P. 85.