Синтез, аназиз и структура органических соединений. Вып V 1973 г.

3. Стабильность свойств и релаксационные характеристики в зависимости от деформационно-температурных циклических нагрузок и времени естественного старения. Б практике полупроводниковой тензометрии для связующих типа термореактивных полимерных клеев /ВЛ-931, БФ-2, БС-1СТ и д р ./ мно­ гими авторами была установлена однозначная зависимость ползучести от базы тензорезисторов / 2 / . для исследования этой же зависимости в случае применения высокотемпературных связующих были проведены эксперименты на композиции вышеуказанных с тензорезисторами различной конфигура­ ции и размеров как серийно выпускаемых /Ю8.КТДМ/, так и экспери­ ментальных, с опорными площадками гантельного типа /Г4-НЭТИ/. Изготовлению последних предшествовала расчетная оценка вели­ чины контактной площади тензорезистора исходя из действия нагрузок в клеевом шве в пределах упругих деформаций и отсутствия релакса­ ционных несовершенств связующего. Рассмотрим условие где Sn- площаде контакта ПТР с клеем; F - сила, действующая на клеевую пленку со стороны тензорезистора; бс - напряжение сдвига для связующего; Б свою очередь где 6 - деформация нити /т е л а / тензорезистора; £ - модуль упругости кремшш; S - площадь поперечного сечения нити тензорезистора. Учитывая / I / можно записать: Sn> e£S_ в с У серийного тензорезистора типа Ю8 площадь поперечного сечения !>= 0,04x0,2=0,008 мм2. Используя данные / I / , где для клея М-931 установлено, что (эс *0,1 кг/мм* и принимая £= I,5 x I0~ 3 , £ =1,87х104 кг/мм2 , после подстановки е / 3 / будем иметь & = 2 ,4м м 2 , или другими словами, диаметр опорной площадки тензорезистора должен быть не менее 1мм. На кадедре диэлектриков и полупроводников методом лифотоля- тографии были изготовлены тензорезисторы размерами! 0,03x0,1x4 с - 83 -