УЧЕНЫЕ ЗАПИСКИ: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ. 1970 г. ВЫП.2

полосы Уз ацетилена в комплексе с ТДГ, I — толщина слоя и а к— интегральное погашение дл я комплекса. Значение К определялось для восьми серий измерений, различавшихся концентрацией С0 (от 0,062 до 0,111), при четырех значе­ ниях температуры. Значения ln/С линейно растут в каждой из серий с ростом 1 /Т. Рассчитанные значения энергии А£ комплексов С—iH...O=iC обрабатывались статистически; полученное значение оказалось равным 3,6+0,4 ккал/моль. Обсуждение результатов измерений <В ТХЭ как растворителе ацетилен в области у3 обнару­ живает одну полосу поглощения с теми же характеристика­ ми, что и в СС14. Полоса эта имеет максимум при частоте лишь на 27 см~1 ниже, чем в газообразном ацетилене, она вызвана поглощением не л-комллексов самого ацетилена, а колебанием уз свободных молекул ацетилена. Смещение срав­ нительно с положением в газообразном состоянии вызвано влиянием внутримолекулярного поля растворителя. Это под­ тверждается подчине­ нием и ТХЭ как раст­ ворителя общей для неполярных раствори­ телей зависимости между AvmaxH (е— 1)/ (28+4) (рис. 3), а также тем, что с рос­ том температуры, ког­ да снижается эффект поля растворителя, наблюдается появле­ ние и все больший рост интенсивности по­ глощения в области 3289 см- 1 , т. е. в об­ ласти поглощения сво­ бодных молекул ацетилена в газообразном состоянии. В растворе ацетилена в ТДГ также имеется лишь одна полоса, заметно смещенная к меньшим частотам сравнительно с ее положением в ТХЭ. При этом Аухах = у газ превосходит наблюдаемое для растворов ацетилена в диоксане (74 см~1) или ацетоне (71 см ~'1) и совпадает со значением Ау для Рис. 3. Зависимость Avxax —v ra3 — v р-р полосы СН ацетилена от (е-,1)/(2е+И). 1 — циклогексан, 2 — четыреххлористый углерод, 3 — тетрахлорэтан, 4 — сероуг­ лерод, 5 — бензол, 6 —диоксан. 23