УЧЕНЫЕ ЗАПИСКИ: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ. 1967 г. ВЫП.1

Отсюда видно, что концентрация ионов с отрицательной гид­ ратацией (Л Е < 0 ) на поверхности льда будет больше, чем в объеме раствора (c 2 >Ci). Пусть происходит адсорбация ионов в реономной системе. Движение границы кристаллизации вовлекает все новые час­ тицы в область адсорбции; затем они оказываются в объеме льда (абсорбция) или в объеме жидкости (десорбция). Раз­ ность потоков ионов из адсорбционного слоя в растущий кристалл и из жидкости в слой адсорбции в результате будет компенсироваться диффузным притоком (оттоком) их к гра­ нице кристаллизации. Следующее неоднородное уравнение описывает распределение примеси при кристаллизации прос­ той бинарной системы: DAc-\-divp ~ ; . (5) dt здесь D — коэффициент диффузии, с — концентрация примеси, р — единичный поток ее в лед. Оставаясь в кругу физических представлений о затвердевании электролита, следует напи­ сать: ^ - — div рр, (6) dt где Р- при к1< D (к — скорость кристаллизаций, / — длина активи­ зированного скачка иона), т. е. единичный приток (отток) ионов в объеме жидкости вызван избирательной десорбцией (абсорбцией). Причем Р k s c l О-Р), (7) где У 0 — объем капли, V — незакристаллизовавшийся объем, s — площадь поверхности раздела фаз. Окончательно уравнение диффузии имеет вид: • Ьсг7 DAc + d i v - (1—В). ( 8 ) и —V о Его решение для одномерной кристаллизации при условии, что обшее число ионов в капле N 0 = c 0Vo постоянно (со— кон­ N 74