Технолого-экономическое образование: достижения, инновации, перспективы

Секция 1. Актуальные проблемы, перспективы развития и инновационные подходы в технологическом образовании 143 Рис. 1. Установка лазерного микроструктурирования с двухкоординатным гальваносканером Рис. 2. Схема работы установки лазерного микроструктурирования Параметры режима ЛМ: мощность лазера – 1200 Вт; частота колебаний гальваносканера – 50 Гц; ли- нейная скорость перемещения полосы излучения лазера вдоль образца – 250 мм/мин; – глубина поверхностного микроструктурирования – не более 200 мкм. Оптические микроструктурные исследования лазерно-обработанных по- верхностей образцов исследованных сталей выполняли с использованием опти- ческих микроскопов Altami MET 1 - C и Zeiss Axio Observer.D1m . Электронно-микроскопические исследования и полуколичественный химиче- ский анализ проводили на растровом электронном микроскопе JEOL JSM 6390 с энерго-дисперсионным рентгеновским спектрометром BRUKER « QUANTEX QX1 ».