Вестник ТГПУ им Л.Н. Толстого №4 2007

№ 4, 2007 ВЕСТНИК ТГПУ им. Л. Н. Толстого и те 1 о Еп = ---------- ,где п =1, 2 , ......., 2к h п Это позволяет обратиться уже к молекуле водорода Н2, где в начале два так'их атома .расположены на достаточно большом расстоянии ( r » r s). В этом случае можно пренеб­ речь кулоновским взаимодействием и считать их практически свободными. По мере сближения атомы начинают испытывать кулоновское воздействие друг на друга. При уменьшении расстояния до г ~ гБ происходит перекрытие электронных оболочек и нало­ жение энергетических уровней. Более заметно это проявляется на уровнях, соответст­ вующих высоким значениям энергии (рис. 2). Рис. 2. Образование энергетических зон в молекуле, состоящей из двух элементарных атомов Теперь можно обратиться к молекуле, состоящей из N атомов, расположенных в виде цепочки (структура одномерного кристалла). И все, что происходило с электронными орбиталями и энергетическими уровнями в двухатомной молекуле, будет иметь место и в данном случае. В результате образуются наборы, состоящие из N энергетических поду­ ровней. Такие наборы получили название энергетических зон (рис. 3). Чем меньше расстояние между атомами, тем сильнее взаимодействие между ними и тем больше ширина образовавшихся энергетических зон (рис. 4). Рис. 3. Образование энергетических зон в кристалле, состоящем из N атомов. 2, 3 и 4 - зоны, образованные из атомных энергетических уровней 2s, 3s и 4s соответственно; 1 - нижние энергетические уровни Is, перекрытия которых не происходит